
Usando un proceso de 50 nanómetros, estos chips DDR3 tiene el doble de densidad que sus predecesores y disminuyen el consumo de energía en un 40 por ciento. Samsung sostiene que los nuevos chips también son más veloces, ya que pueden alcanzar 1.3Gb/segundo a 1.35V mientras que sus chips anteriores lograban 800MB/segundo.
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